自2019年6月以來(lái)，科創(chuàng )板上市效應激發(fā)了創(chuàng )新資本“投早、投小、投科技”的積極性，打通了創(chuàng )投在科技創(chuàng )新行業(yè)“募投管退”全環(huán)節，促進(jìn)了科技、資本與實(shí)體經(jīng)濟的高水平循環(huán)。今年上市的功率半導體企業(yè)東微半導（688261.SH）即是科創(chuàng )板中典型的創(chuàng )新資本與公司價(jià)值共同成長(cháng)的經(jīng)典案例之一。

東微半導于2022年2月登陸科創(chuàng )板，在上市之初已備受市場(chǎng)青睞，發(fā)行PE倍數高達429.30倍，是上市后市場(chǎng)表現突出的百元股之一。

從東微半導的股東結構來(lái)看，上市前公司已匯聚包括原點(diǎn)創(chuàng )投、中新創(chuàng )投、聚源聚芯、哈勃投資、中小企業(yè)發(fā)展基金在內的多家知名創(chuàng )投機構。

數據來(lái)源：公開(kāi)資料整理

其中，原點(diǎn)創(chuàng )投及中新創(chuàng )投均為元禾控股旗下機構，為國有股東。前者在東微半導的前身東微有限成立次年即已投資公司，投資年限超過(guò)10年，為元禾控股一貫堅持的價(jià)值投資和長(cháng)期投資實(shí)踐。元禾控股專(zhuān)注早期、偏好技術(shù)、信守承諾，截至2022年10月的在投項目超250個(gè)。所投資和管理的項目中，87%屬于種子期和初創(chuàng )期，70%的投資屬于領(lǐng)投。東微半導坐落于元禾控股所在的蘇州工業(yè)園區，該園區由功率半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展起步早、基礎好，2021年，園區集成電路產(chǎn)業(yè)營(yíng)收突破700億元，同比增長(cháng)24%。作為園區重點(diǎn)功率半導體企業(yè)，東微半導將持續受益于園區政府的政策支持。

此外，持有公司7.46%股權的聚源聚芯重點(diǎn)投資集成電路芯片制造業(yè)，兼顧芯片設計、封裝測試等產(chǎn)業(yè)，以推動(dòng)國家集成電路產(chǎn)業(yè)重點(diǎn)突破和整體提升。

而持有公司3.73%股權的中小企業(yè)發(fā)展基金，是國家中小企業(yè)發(fā)展基金首支實(shí)體基金，由深圳國資背景的深創(chuàng )投所控制的國中創(chuàng )投負責管理，在2022年三季度該基金出現在10家上市公司的前十大股東中，且多個(gè)報告期內未有變動(dòng)。

此外，華為亦通過(guò)控股的哈勃投資持有公司4.93%股權，充分彰顯對公司技術(shù)實(shí)力的認可與發(fā)展前景的看好。

東微半導——登上過(guò)《Science》的芯片公司

東微半導當前已發(fā)展成為高性能功率半導體的頭部廠(chǎng)商之一，也是市場(chǎng)中最受機構關(guān)注的功率半導體“新星”。在成長(cháng)過(guò)程中，作為一家初創(chuàng )公司，東微半導能夠在多輪融資中引入多家知名創(chuàng )投，與公司聯(lián)合創(chuàng )始人的技術(shù)實(shí)力密不可分。

據悉，公司聯(lián)合創(chuàng )始人王鵬飛博士和龔軼均曾就職于頂級國際芯片巨頭，擁有豐富的功率半導體產(chǎn)業(yè)經(jīng)驗。其中，王鵬飛博士先后獲授權發(fā)明專(zhuān)利70余項，其中美國專(zhuān)利授權30余項，是國家高層次人才特殊支持計劃領(lǐng)軍人才入選者。王博士還是互補隧穿場(chǎng)效應晶體管（CTFET）的發(fā)明人，曾在英飛凌存儲器研發(fā)中心發(fā)明多項DRAM核心器件。在2013年，王鵬飛博士還研制出全球首個(gè)半浮柵晶體管（SFGT，Semi-FloatingGate Transistor），文章發(fā)表在頂級學(xué)術(shù)期刊《Science》上，這是我國微電子領(lǐng)域研究首次登上Science雜志。在A(yíng)股，在《Science》發(fā)表過(guò)論文的芯片公司也幾乎僅此一家。

創(chuàng )始人的技術(shù)背景與實(shí)力，決定了東微半導在成立之初便具備國際化的視野與技術(shù)創(chuàng )新能力，盡管體量還相對較小，卻具備領(lǐng)先的核心技術(shù)，多項技術(shù)追平甚至超越了國外一流技術(shù)。在工業(yè)級及汽車(chē)級的功率器件領(lǐng)域實(shí)現了國產(chǎn)化替代。

東微半導當前主要產(chǎn)品包括GreenMOS系列高壓超級結MOSFET、SFGMOS系列及FSMOS系列中低壓屏蔽柵MOSFET,并通過(guò)持續技術(shù)創(chuàng )新，進(jìn)一步開(kāi)發(fā)了超級硅MOSFET、TGBT、Super-Si等產(chǎn)品。作為一家低調的公司，應該還有較多的創(chuàng )新技術(shù)還處在秘而不宣的階段。

數據來(lái)源：東微半導2022年半年度報告

從應用領(lǐng)域看，東微半導是國內最早進(jìn)入工業(yè)和汽車(chē)相關(guān)應用領(lǐng)域的功率器件廠(chǎng)商之一，產(chǎn)品也以工業(yè)級、車(chē)規級應用為主。由于工業(yè)級應用對功率半導體產(chǎn)品的性能和穩定性要求普遍高于消費級應用，因此東微半導產(chǎn)品附加值也更高。

借助產(chǎn)品及技術(shù)優(yōu)勢，東微半導的品牌知名度和市場(chǎng)認可度不斷提高，其產(chǎn)品已進(jìn)入華為、比亞迪、英飛源、維諦技術(shù)、EnphaseEnergy和麥格米特等多個(gè)高知名度客戶(hù)。超級硅 MOSFET器件進(jìn)入中車(chē)株洲等客戶(hù)，并已批量供應微逆變領(lǐng)域的頭部客戶(hù)Enphase Energy。獲得比亞迪全資子公司弗迪動(dòng)力有限公司頒發(fā)的“2021年度優(yōu)秀供應商”榮譽(yù)稱(chēng)號。該等客戶(hù)供應鏈體系準入門(mén)檻高，獲得認證后粘性更強，有利于推動(dòng)公司不斷進(jìn)行技術(shù)升級，為公司的技術(shù)領(lǐng)先提供動(dòng)力。

在供應商方面，東微半導與上游晶圓制造企業(yè)華虹半導體、粵芯半導體及DB Hitek等廠(chǎng)商保持穩定的業(yè)務(wù)和技術(shù)合作關(guān)系，當前上述主要供應商正積極擴產(chǎn)。2022年上半年，公司還獲得了華虹半導體“12英寸平臺累計出貨100萬(wàn)片卓越貢獻客戶(hù)”榮譽(yù)稱(chēng)號。

伴隨著(zhù)客戶(hù)群體的擴展與優(yōu)質(zhì)供應商的深入合作，公司的銷(xiāo)售規模亦高速增長(cháng)。數據顯示，2019年至2021年，東微半導營(yíng)收從1.96億增長(cháng)至7.82億，歸母凈利潤從0.09億增長(cháng)至1.47億，3年間分別增長(cháng)298.98%、1533.33%。2022年1-9月，公司營(yíng)收與凈利潤已超過(guò)2021年總和，分別為7.90億、2.00億，同比增速分別達到41.29%、115.62%。據Wind數據，A股上市公司IGBT指數(8841291.WI)2022年三季度凈利潤同比增速均值為55.84%，東微半導115.62%的凈利增速在板塊中排名第二。

根據公開(kāi)消息：東微半導最新還榮獲“2023中國半導體投資聯(lián)盟年會(huì )暨中國IC風(fēng)云榜頒獎典禮”之人均創(chuàng )收（TTM）TOP100第一、人均創(chuàng )利（TTM）TOP100第一。榮獲“2022年度國家情懷·中國科創(chuàng )板評選”之“最具投資價(jià)值企業(yè)”。

MOSFET穩定增長(cháng)，TGBT持續放量，第三代半導體前瞻布局，未來(lái)持續高成長(cháng)可期

東微半導的快速發(fā)展與盈利能力的增強，使得公司估值與基本面得到進(jìn)一步匹配，截至最新PEttm為60.20倍，已具備較合理的配置價(jià)值。而當前東微半導新產(chǎn)品放量與技術(shù)布局使得公司發(fā)展兼具確定性和成長(cháng)性。

在新產(chǎn)品方面，公司基于自主專(zhuān)利技術(shù)開(kāi)發(fā)出650V、1200V及1350V等電壓平臺的多種TGBT系列IGBT器件已經(jīng)實(shí)現量產(chǎn)，批量進(jìn)入光伏逆變、儲能、直流充電樁、電機驅動(dòng)等應用領(lǐng)域的多個(gè)頭部客戶(hù)；公司的創(chuàng )新型 Tri-gate IGBT 器件產(chǎn)品在2021年上半年開(kāi)始送樣認證并少量出貨，半年度實(shí)現銷(xiāo)售收入 1710.46萬(wàn)元，同比增長(cháng)高達70倍以上，順利對基于傳統trench-gate FS-IGBT技術(shù)的芯片進(jìn)行替代，表現出高速增長(cháng)的態(tài)勢。

在技術(shù)布局方面，東微半導競爭優(yōu)勢突出，2022年上半年，公司在積極布局的基于第三代功率半導體SiC材料的功率器件領(lǐng)域中提出新技術(shù)路線(xiàn)，有望把握第三代半導體的發(fā)展趨勢，為公司帶來(lái)新的收入增長(cháng)點(diǎn)。

中金公司報告指出，東微半導在硅基超級結MOSFET領(lǐng)域已出貨第四代產(chǎn)品，與英飛凌C7產(chǎn)品線(xiàn)形成對標，并服務(wù)工業(yè)電源、車(chē)載充電機、直流充電樁、光伏微逆等高端應用，超級結MOSFET收入體量大幅領(lǐng)先國內同業(yè)者。

在市場(chǎng)空間更廣闊的IGBT領(lǐng)域，公司自主研發(fā)的三柵IGBT（TGBT）第一代產(chǎn)品已經(jīng)實(shí)現大規模量產(chǎn)出貨，多款第二代產(chǎn)品已經(jīng)進(jìn)入批量生產(chǎn)階段，收入有望進(jìn)入快速成長(cháng)期，在工業(yè)控制、光伏及儲能逆變器應用領(lǐng)域對國外品牌進(jìn)行替代。此外，公司碳化硅相關(guān)專(zhuān)利產(chǎn)品已在客戶(hù)認證階段，有望延續其在硅基功率半導體領(lǐng)域優(yōu)秀底層設計能力，把握第三代化合物半導體在電力電子應用領(lǐng)域的發(fā)展浪潮，打開(kāi)新的收入增長(cháng)點(diǎn)。

結語(yǔ)：

國際上傳統能源向新能源的轉變是一個(gè)不可逆的過(guò)程，因而功率半導體也會(huì )在很長(cháng)的時(shí)間內保持飛速發(fā)展。雖然在諸多國際巨頭前，東微半導目前只是一家營(yíng)收一個(gè)多億美金的小不點(diǎn)，但是，東微半導掌握了多個(gè)核心技術(shù)并具備了國際競爭力。隨著(zhù)技術(shù)優(yōu)勢不斷轉化為市場(chǎng)競爭力，公司在不久的將來(lái)可以走向更為廣闊的舞臺，占領(lǐng)更多高端市場(chǎng)，從而量變形成質(zhì)變，成長(cháng)為國產(chǎn)芯片行業(yè)的一顆明星。