4月25日，以“新時(shí)代 新汽車”為主題的2024北京車展拉開帷幕，“新能源汽車”成最大亮點(diǎn)。來自北京車展主辦方的信息顯示，此次參展的新能源車型多達(dá)278個(gè)，其中，800V高壓平臺(tái)上車成為今年車展的一大看點(diǎn)，搭載800V架構(gòu)的全新問界M5、享界S9、蔚來樂道L60、極氪MIX、星途星紀(jì)元ET等車型紛紛亮相。

2023年以來，眾多車企在新能源汽車的續(xù)航里程與補(bǔ)能速度上發(fā)力，800V車型由此接踵落地，這進(jìn)一步加速碳化硅規(guī)模上車。800V系統(tǒng)平臺(tái)搭載碳化硅，能有效緩解續(xù)航和補(bǔ)能焦慮，因此兩者被稱為“絕配CP”。

圖注：芯聯(lián)集成6英寸碳化硅平面MOS芯片

主要用于新能源汽車主驅(qū)逆變器

作為稀缺的一站式芯片系統(tǒng)代工解決方案供應(yīng)商，2023年，芯聯(lián)集成6英寸碳化硅晶圓廠出貨規(guī)模已超過月產(chǎn)5000片，且出貨量位列中國(guó)SiC MOS規(guī)模量產(chǎn)出貨前列。芯聯(lián)集成自去年開始量產(chǎn)平面SiC MOS以來，實(shí)現(xiàn)了90%的產(chǎn)品應(yīng)用于新能源汽車主驅(qū)逆變器。

碳化硅上車，帶來整車效率質(zhì)的飛躍

隨著新能源汽車市場(chǎng)發(fā)展的高歌猛進(jìn)，整車廠都希望提高車輛的表現(xiàn)力，包括更快的充電時(shí)間、更持久的續(xù)航里程，以及優(yōu)質(zhì)的駕乘體驗(yàn)等等，以獲得更多市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力，而碳化硅的存在就尤為重要。

碳化硅應(yīng)用于新能源汽車內(nèi)部的關(guān)鍵電力系統(tǒng)，包括主驅(qū)逆變器、車載充電器（OBC）和DC-DC轉(zhuǎn)換器。與傳統(tǒng)硅基器件相比，作為第三代半導(dǎo)體技術(shù)，碳化硅因其耐高壓、高開關(guān)頻率、耐高溫和低導(dǎo)通損耗等特點(diǎn)，可實(shí)現(xiàn)更高的系統(tǒng)效率、更低的損耗和空間小型化，因此在電能轉(zhuǎn)換中得到大規(guī)模應(yīng)用。

芯聯(lián)集成具備碳化硅產(chǎn)品全棧能力，性能比肩國(guó)際先進(jìn)水平

當(dāng)下，在碳化硅芯片集中上量的主驅(qū)逆變器應(yīng)用領(lǐng)域，芯聯(lián)集成已把握先機(jī)，成功躋身于國(guó)內(nèi)頭部陣營(yíng)。

技術(shù)不斷創(chuàng)新，產(chǎn)品快速迭代是芯聯(lián)集成在短時(shí)間內(nèi)取得市場(chǎng)突破的最大驅(qū)動(dòng)力。從啟動(dòng)碳化硅產(chǎn)線預(yù)研，到大批量出貨，芯聯(lián)集成用了三年時(shí)間，迭代了三代SiC MOS產(chǎn)品，最新第三代1200V SiC MOS 已于2023年底在汽車主驅(qū)應(yīng)用量產(chǎn)，具備國(guó)際領(lǐng)先的芯片能力。

特別值得一提的是，在備受碳化硅需求應(yīng)用端關(guān)注而又為之苦惱的良率方面，芯聯(lián)集成第三代1200V SiC MOS達(dá)到業(yè)界領(lǐng)先的水平。

同時(shí)，在影響碳化硅器件性能、故障率和壽命的溫度方面，芯聯(lián)集成第三代1200V SiC MOS支持200℃的工作結(jié)溫，而且具有更好的高溫性能：

● 25℃Rdson @13mohm

● 150℃Rdson@19.2mohm

● 175℃Rdson@21.5mohm

除了這些優(yōu)勢(shì)，芯聯(lián)集成第三代1200V SiC MOS還支持門極負(fù)壓關(guān)斷（推薦門極工作電壓-5V/18V），且已通過AQG-324可靠性驗(yàn)證標(biāo)準(zhǔn)，以及加嚴(yán)的DGS、DRB (動(dòng)態(tài)HTGB、動(dòng)態(tài)HTRB)可靠性驗(yàn)證。

及時(shí)響應(yīng)整車廠對(duì)于碳化硅的應(yīng)用需求，芯聯(lián)集成不僅能提供碳化硅芯片代工，同時(shí)具備了從設(shè)計(jì)、制造到封裝、測(cè)試的全棧能力，公司可提供包含設(shè)計(jì)服務(wù)、晶圓制造、模組封裝、應(yīng)用驗(yàn)證、可靠性測(cè)試的一站式芯片及系統(tǒng)代工解決方案，能靈活滿足不同整車廠的需求。

芯聯(lián)集成生產(chǎn)的車載SiC模塊，采用高性能的平面柵形SiC MOSFET芯片的灌封和塑封封裝技術(shù)，產(chǎn)品覆蓋750V-1200V全系列，可以分別滿足400V和800V車載系統(tǒng)的需求，產(chǎn)品規(guī)格如下圖，性能比肩國(guó)際碳化硅廠商水平。

圖注：芯聯(lián)集成碳化硅模塊系列產(chǎn)品

圖注：芯聯(lián)集成單面散熱塑封全橋SiC模塊，主要用于新能源汽車主驅(qū)逆變器等

長(zhǎng)板優(yōu)勢(shì)已顯，未來更為可期。據(jù)悉，芯聯(lián)集成的國(guó)內(nèi)首條8英寸晶圓研發(fā)線將于2024年底通線，屆時(shí)8英寸晶圓帶來的成本與產(chǎn)能優(yōu)勢(shì)，將更好地滿足車企對(duì)“增效降本”的追求。