盈谷股份高溫超導(dǎo)磁體應(yīng)用下的新型產(chǎn)品—低氧N型單晶硅棒工業(yè)化生產(chǎn)
挖貝網(wǎng)9月23日，盈谷股份（830855）近日發(fā)布公告，高溫超導(dǎo)磁體應(yīng)用下的新型產(chǎn)品—低氧N型單晶硅棒工業(yè)化生產(chǎn)情況：
超導(dǎo)指的是在特定的低溫條件下呈現(xiàn)出電阻等于零的特性以及具備完全抗磁性的材料，一直被稱為“當(dāng)代科學(xué)的明珠”。高溫超導(dǎo)體（-196℃，液氮溫區(qū)下工作的材料）近幾年在材料大規(guī)模制備方面逐步成熟，成本下降和良率提升都明顯加速。高溫超導(dǎo)技術(shù)在超導(dǎo)線纜（電網(wǎng)）、可控核聚變、高溫超導(dǎo)感應(yīng)加熱設(shè)備等下游領(lǐng)域展開了規(guī)?；虡I(yè)應(yīng)用，并且呈現(xiàn)加速放量趨勢。
在當(dāng)前光伏行業(yè)周期性低谷期，公司堅(jiān)定不移地進(jìn)行技術(shù)升級(jí)，公司通過使用新型高溫超導(dǎo)磁體爐以及進(jìn)行拉晶試制、不斷摸索和提升工藝水平，使得當(dāng)前公司已具備拉制低氧N型單晶硅棒的工業(yè)化生產(chǎn)能力。根據(jù)檢測機(jī)構(gòu)對(duì)樣品的檢測，公司的新型產(chǎn)品—低氧N型單晶硅棒整體氧含量小于7ppm（相當(dāng)于3.5×1017atoms/cm3）。
新型產(chǎn)品—低氧N型單晶硅棒產(chǎn)品的特性和質(zhì)量情況：
通過在單晶爐的單晶生長區(qū)域加載超導(dǎo)強(qiáng)磁場，抑制硅液縱向流動(dòng)產(chǎn)生的對(duì)流，降低熔體對(duì)流速度以及坩堝轉(zhuǎn)速，減少相對(duì)運(yùn)動(dòng)，從而有效降低單晶硅中間隙氧濃度，提高摻雜物的徑向均勻性，提高單晶硅棒的質(zhì)量，以上技術(shù)概述為磁控技術(shù)。具體情況如下：
1、抑制熱對(duì)流：在沒有外加磁場的情況下，熔融硅在加熱過程中會(huì)產(chǎn)生自然對(duì)流，這可能導(dǎo)致雜質(zhì)分布不均勻和晶體缺陷的形成；外加磁場可以抑制這種對(duì)流，使得熔體內(nèi)部的溫度分布更加均勻，減少雜質(zhì)的不均勻分布。
2、控制單晶硅生長速率：磁場可以影響單晶硅生長的速率和方向，通過精確控制磁場的強(qiáng)度和分布，可以優(yōu)化單晶硅生長過程，提高單晶硅的完整性和均勻性。
3、減少氧和其他雜質(zhì)的溶解：在硅晶體生長過程中，氧是常見的雜質(zhì)之一，它會(huì)導(dǎo)致單晶硅品質(zhì)下降。磁場可以減少熔體中的氧，降低氧在晶體中的含量，提高單晶硅的純度。
4、改善晶體內(nèi)部結(jié)構(gòu)：磁場可以影響晶體內(nèi)部的缺陷結(jié)構(gòu)，如位錯(cuò)和晶界，通過減少這些缺陷的數(shù)量和影響其分布，可以提高單晶硅的整體質(zhì)量。
5、提高單晶硅的電學(xué)性質(zhì)：由于磁場對(duì)單晶硅生長過程中的微觀結(jié)構(gòu)有顯著影響，因此可以改善單晶硅的電學(xué)性質(zhì)，如電阻率和載流子壽命，這對(duì)于制造高性能的半導(dǎo)體器件至關(guān)重要。
新型產(chǎn)品—低氧N型單晶硅棒研制成功對(duì)公司的影響：
1、提升產(chǎn)品質(zhì)量：低氧N型單晶硅棒的研制成功將提升公司產(chǎn)品的質(zhì)量，提高產(chǎn)品的純度和性能，從而增強(qiáng)公司的核心競爭力。
2、拓展市場空間：低氧N型單晶硅棒將有助于公司開拓新的市場空間，進(jìn)一步擴(kuò)大公司的市場份額和業(yè)務(wù)范圍。
3、技術(shù)創(chuàng)新推動(dòng)：低氧N型單晶硅棒的研制與生產(chǎn)，需要公司不斷進(jìn)行技術(shù)創(chuàng)新和改進(jìn)，這有利于推動(dòng)公司專業(yè)單晶硅長晶工藝和技術(shù)創(chuàng)新能力的提升，培養(yǎng)更多的技術(shù)人才和團(tuán)隊(duì)，為公司未來的發(fā)展奠定基礎(chǔ)。
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